Auf die schnelle fällt mir der IRLML2502PbF ein. Der schafft bei Vgs=2,25V über 1A.
Jedoch hat der ein SOT34 Gehäuse und ein Ptot von bisschen (<0,5W)

Dann vielleicht der P3057LD der hat zwar ein TO-252 Gehäuse läßt sich aber in Lochraster einlöten. Nur sein Drain ist zu kurz, da kann aber problemlos ein Stückchen Draht Ptot=1W (oder sogar ein Kühlblech Ptot=10W) dran gelötet werden.

Das is ja blöd
Ein TSM051N04LCP ist baugleich mit ähnlichen Werten bei Reichelt lieferbar.
Ein BSP318S auch. Der hat ein SOT-223 Gehäuse das auch im Lochraster geht wenn man die Pins mit eine Flachzange grade biegt. Da muß kein Pin angelötet werden (kann aber zum Kühlen oder als Brücke )

PS Ein Transistor wäre günstiger, braucht aber einen Basiswiderstand.
PPS Nach "Lehrbuch" brächte der Fet sogar zwei. Einen Gate und einen Pull Down

Morning!
Versuche es doch mal mit einem Logic Level MOSFet, z.B. den IRL530N (15A,100V). Ist aber ein wenig
groß für deine Anwendung. Bei mir steuert er schon bei 2.8V fast vollständig durch und die Verlustleistung ist
vernachlässigbar.
Oder hier mal eine kleine Tabelle für solche Dinger:
infineon.com/cms/en/product/po…60v-80v-100v-logic-level/

Viel Spass damit
Jürgen

Hallo Dave
Da Du keine SMD magst versuch es mal mit dem IRLR024N. Der schaltet bei 2V garantiert durch. Den Fet gibt es beim R.. in allen möglichen Gehäusebauformen. Noch klein und doch viel Power.

Wer SMD benutzen kann sollte es mal mit der IRF73.. Reihe versuchen. IRF7311 schaltet ab 1,1V 2x 5A.

Beide FET bleiben kalt, da sie einen sehr niederigen Drain-Source Widerstand haben.

Mfg Nolem

Einen Glücksgriff gemacht? lt Datenblatt schaltet der bei 2,5V 300mA, bei 3v immerhin schon 3A und durch ab 6V
Auch die 7311 sind so viel besser als ihr Datenblatt? Bei 1,5V 2,3A und >2W Verlust. Das würde ihn auffällig erwärmen. Auch sollten beide gleichzeitig nur je 2,5A schalten.
Waren das Einzelstückerfahrungen oder sind die immer so viel besser als angegeben?
@dave_02 Es gibt Adapterplatinchen um SO-8 Chips auf Dip8 zu bringen. Bei dehnen die Beinchen einzeln an zu löten ist eher greuslich

Hallo!
In der Regel bei allen Halbleitern schon - nur verlassen darf man sich darauf nicht.
Datenblätter geben "Worst Case" Werte an die garantiert werden unter den angegebenen Parametern.
Ob sich ein Halbleiter für eine konkrete Aufgabe eignet, beispielsweise bei N-FET's bezüglich Rdn @ Vg 3,3V muss dann die Erfahrung zeigen.
Speziell für diese Standardaufgabe hier, also N-FET's zur Lowside-Schaltung größerer Lasten mittels TTL-Pegel geben viele Hersteller bereits eigene Typenlisten herraus.

Es gibt aber durchaus in anderen Sparten der Elektronik häufig "Worst Case"-Werte die einem zunächst die Sprache verschlagen.
Für ein anstehendes Evaluierungsprojekt in richtung I/Q-Mischer die alle sammt teuer und fies zu löten sind griff ich zu einem ziemlich alten, längst abgekündigten Chip, der als Restposten noch beschaffbar ist. TDA8040T.
Meine Frage nach dem Dynamikbereich des Eingangssignals beantwortet das Datenblatt aber nicht zufriedenstellend.
https://www.box73.de/file_dl/bauelemente/TDA8040T.pdf


An zwei Stellen die selben Werte zu Vin(RF).
Mindestens 64dBµV, nominal 67dBµV und maximal 70dBµV.
Auf lineare Effektivspannung umgerechnet also Min 1,6mV, Nominell 2,2mV und maximal 3,2mV.

Wie diese Werte zustande kommen steht nicht im Datenblatt.
Es sieht aber zunächst tatsächlich nach nur 6dB Dynamikbereich aus.
Genau das aber ist eine Unmöglichkeit ohne physikalischen Sinn.
Denn eine vorgeschaltete AGC welche z.B. eine eingangsdynamik von 70dB passend einengt auf 6dB würde ein Großteil der Amplitudenwerte des Signals kaputtmachen, welche ja der TDA8040T als I-Signal demodulieren soll.

Ne, Datenblätter sind manchmal ziemlich fragwürdig.
Und in der heutigen Zeit ist es ziemlich nervenaufreibend solche Fragen bei aktuellen Halbleitern mit den Herstellern zu klären. Denn man landet dort fast nur noch in Call-Center artigen Büros bei Leuten die auch nur das Datenblatt haben und genauso überfragt sind wie man es selber ist.

Jürgen

Für die Aufgabe 200mA bei 5V (- LED-Spannung) und -3,3V (worst case 3V vielleicht) am VGS sehe ich das entspannt.
Wenn ich es so richtig verstanden habe ...

Bild1.jpg


In einigen Punkten sind die zwei Bauteile z.B. da unten schon sehr ähnlich in der Spec.

reichelt.de/mosfet-n-kanal-60-…&trstct=pos_10&nbc=1&&r=1
reichelt.de/de/de/mosfet-n-kan…-irl-530n-p41759.html?r=1

Bild2.jpg

Ich denke, wenn man wesentlich über 1-2A geht, müsste man mal genauer hinschauen.
Vorher sehe ich da keinen großen Flaschenhals.

----

MfG
port

Die 3A auf Fig.1 ist das was er bei 3V GS schaltet, da kann die DS Spannung auch viel höher werden.
Aber auch wenn nicht müssen die 6W verheizt werden. Der Kleine kann das gar nicht und der große braucht dazu einen Kühlkörper. Wenn sie nicht Konstantstromquelle werden müssen, sollte der Bereich gemieden werden.
Bei den ca 200mA sollte da kein Problem auftreten <100mV*200mA*120K/W = <2,4K (nicht spürbar)
PS Hier liegt ein IRF530 der macht bei 3V noch gar nichts , da steht das F für faul
aber dafür hält er 4V mehr GS aus als sein jüngerer Bruder mit dem L